Ο κορυφαίος σχεδιαστής και κατασκευαστής τσιπ DRAM SK hynix ανακοίνωσε σήμερα την επόμενη εξέλιξη της κατασκευής τσιπ μνήμης χρησιμοποιώντας εξοπλισμό Extreme ultraviolet (EUV). Χρησιμοποιώντας αυτήν την τεχνολογία, η εταιρεία θα είναι σε θέση να παράγει μαζικά την τελευταία τέταρτη γενιά προϊόντων DRAM 10nm τα οποία είναι πιο πυκνά από τη διαδικασία τελευταίας γενιάς. Η εταιρεία αποκαλεί τον νέο κόμβο “1anm” που διαδέχεται το 1znm που κυκλοφόρησε το 2019. Η υψηλότερη πυκνότητα της τεχνολογίας 1a θα επιτρέψει επίσης στην εταιρεία να εξαγάγει 25% περισσότερες μάρκες από το ίδιο μέγεθος γκοφρέτας σε σύγκριση με το 1z.
Όσον αφορά τις βελτιώσεις, το νέο 1anm θα επιτρέψει στη μνήμη LPDDR4 να φτάσει ταχύτητες 4266Mbps, οι οποίες μέχρι τώρα γενικά έχουν συσχετιστεί με μάρκες LPDDR4X. Παράλληλα με την υψηλότερη ταχύτητα, η κατανάλωση ενέργειας αναμένεται επίσης να μειωθεί κατά 20%. Και όταν προσθέτετε σε αυτές τις δυνατότητες την ιδιότητα της εύκολης μαζικής παραγωγής, η νέα διαδικασία 1α θα αποδειχθεί χρήσιμη για τα smartphone. Μερικά από αυτά τα τηλέφωνα με τις υποκείμενες μάρκες 1anm αναμένεται να είναι διαθέσιμα το δεύτερο εξάμηνο του τρέχοντος έτους.
